XINFORMAÇÕES SOBRE DIREITOS AUTORAIS
As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.
A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.
A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.
A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
As obras disponibilizadas nesta Biblioteca Digital foram publicadas sob expressa autorização dos respectivos autores, em conformidade com a Lei 9610/98.
A consulta aos textos, permitida por seus respectivos autores, é livre, bem como a impressão de trechos ou de um exemplar completo exclusivamente para uso próprio. Não são permitidas a impressão e a reprodução de obras completas com qualquer outra finalidade que não o uso próprio de quem imprime.
A reprodução de pequenos trechos, na forma de citações em trabalhos de terceiros que não o próprio autor do texto consultado,é permitida, na medida justificada para a compreeensão da citação e mediante a informação, junto à citação, do nome do autor do texto original, bem como da fonte da pesquisa.
A violação de direitos autorais é passível de sanções civis e penais.
Coleção Digital
Título: EFFECTS OF NON-LINEARITIES OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS IN MICROWAVE AMPLIFIERS Autor: JOAO TAVARES PINHO
Instituição: PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO - PUC-RIO
Colaborador(es):
CHARLES FREDERIC POLZIN - ADVISOR
Nº do Conteudo: 9434
Catalogação: 05/01/2007 Idioma(s): PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo: TEXT Subtipo: THESIS
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=9434@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=9434@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.9434
Resumo:
Título: EFFECTS OF NON-LINEARITIES OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS IN MICROWAVE AMPLIFIERS Autor: JOAO TAVARES PINHO
Nº do Conteudo: 9434
Catalogação: 05/01/2007 Idioma(s): PORTUGUESE - BRAZIL
Tipo: TEXT Subtipo: THESIS
Natureza: SCHOLARLY PUBLICATION
Nota: Todos os dados constantes dos documentos são de inteira responsabilidade de seus autores. Os dados utilizados nas descrições dos documentos estão em conformidade com os sistemas da administração da PUC-Rio.
Referência [pt]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=9434@1
Referência [en]: https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=9434@2
Referência DOI: https://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.9434
Resumo:
This work deals with the effects of non-linear ities of
field-effect transistors used in microwave amplifiers.
To do so, the transistor is modeled by a non-linear
equivalent circuit, with its components determined through
the measurement of its scattering parameters, in the range
of 3 GHz to 9GHz, and with the aid of a circuit
optimization program and another for curve fitting.
The method of analysis used is the Volterra series
expansion, for which a computer program was developed,
permitting the determination of the transducer gains and
output powers in the fundamental frequency, and in the
third-order intermodulation product, as well as the 1 dB
compression point, the third-order intermodulation
distortion ratio, and the third-order intercept point.
This program also allows for the verification of the
influence of out-of-band terminating impedances on the
intermodulation distortion characteristics.
Through this analysis it was possible to verify that the
out-of-band terminations have little or no influence on
the intermodulation distortion characteristics, with the
exception of the terminations in the difference frequency,
(difference frequency = frequency 2 - frequency 1), for
which it was found a decrease of up to 8 dB in the third-
order intermodulation product level, for the appropriate
choice of these impedances.
These results, however, cannot be said to represent the
real behavior of the FET since the model used did not
account for the internal matching of the device. Also, due
to the fact that the transistor was damaged during the
intermodulation measurements, such results could not be
verified experimentally.
Descrição | Arquivo |
COVER, ACKNOWLEDGEMENTS, RESUMO, ABSTRACT AND SUMMARY | |
INTRODUCTION | |
CHAPTER 1 | |
CHAPTER 2 | |
CHAPTER 3 | |
CONCLUSION | |
REFERENCES |