Este trabalho trata dos efeitos das não-linearidades de transistores de efeito de campo utilizados em amplificadores de microondas. Para tanto, o transistor é modelado por um circuito não- linear equivalente, cujos elementos são determinados através da medição dos parâmetros espalhamento do mesmo, na faixa de 3 GHz a 9 GHz, e com o auxílio de um programa de otimização de circuitos e outro de ajuste de curvas. O método de análise utilizado é o da expansão em série de Volterra, para o qual foi desenvolvido um programa computacional que permite a determinação dos ganhos de transdução e das potências de saída na freqüência fundamental e no terceiro produto de intermodulação, bem como do ponto de 1dB de compressão de ganho, da taxa de distorção de intermodulação de terceira ordem. Esse programa permite, ainda, a verificação da influência das impedâncias de fechamento fora da faixa, nas características de distorção de intermodulação. Através dessa análise pôde-se verificar que as terminações fora da faixa exercem pouca ou nenhuma influência nas características de distorção de intermodulação, com exceção das terminações na freqüência diferença, (freqüência de diferença = freqüência 2 - freqüência 1), onde pôde-se constatar uma redução de até 8dB no nível do terceiro produto de intermodulação, para uma escolha apropriada das impedâncias de fechamento nessa freqüência. Esses resultados, contudo, não podem ser considerados definitivos, uma vez que o modelo adotado não levou em consideração o fato do FET utilizado ser pré-adaptado. Também, devido ao transistor ter-se danificado durante as medições de intermodulação, tais resultados não puderam ser comprovados experimentalmente.